Sp2/sp3键含量对HUVEC增殖性能的影响

摘要

材料表面电子结构与生物相容性之间的关系具有深远的研究意义，但一直以来，其研究结果却颇具争议性。本文利用具有特殊的电子结构的类金刚石(DLC)薄膜来研究材料表面电子结构对人脐静脉内皮细胞(HUVEC)附着及增殖性能的影响。本文中DLC薄膜采用直流电弧脉冲等离子体沉积法进行制备，通过改变靶室气体种类和气体压强来控制DLC薄膜中sp2/sp3键的相对含量，并通过Raman光谱分析来确定薄膜中sp2/sp3键的相对含量。利用免疫荧光标记、蛋白测量BCA法、MTT实验等细胞学实验研究了DLC薄膜中sp2/sp3键的相对含量对HUVEC附着及增殖性能的影响规律。实验结果发现，(1)在靶室气体种类相同情况下，靶室气体压强对sp2/sp3键含量比有非线性影响；而在靶室气体压强相同的情况下，充入Ar/C2H2混合气体时DLc薄膜中的sp2/sp3键含量比充入纯Ar气体时略高。(2)细胞学实验结果表明，同种气体条件下，DLC薄膜中sp2键相对含量的降低，有利于提高细胞的附着性能，但同时也会影响到细胞附着的正常形态。并由此导致细胞的增殖性能随sp2键相对含量的变化不明显。