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尹雪梅; 恩云飞; 李斌; 师谦;
中国电子学会;
MOS器件; 电离辐射; 辐射效应; 总剂量退化; 温度效应;
机译:总剂量辐照对H栅SOI NMOS器件阈值电压的影响
机译:等离子体损坏的NMOS器件的总剂量辐射响应
机译:氮化物MOS器件中总剂量引起的电荷积聚
机译:基于铜(Ⅱ)基于酞菁的场效应晶体管作为用于测定电离辐射剂量的总剂量传感器
机译:电离辐射环境下的太阳能电池退化:通过电超载进行的先占测试和评估。
机译:作为总剂量的3D保形加速局部乳房照射的总剂量在10分数中具有42 Gy的更高毒性:II级剂量递增试验的结果
机译:mOs器件中总剂量电离效应的分析模型。
机译:CmOs器件强化总剂量辐射效应。
机译:CMOS器件针对总剂量辐射效应进行了硬化
机译:CMOS器件克服了总剂量辐射效应
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