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机译:氮化物MOS器件中总剂量引起的电荷积聚
机译:从界面状态和陷获电荷密度测量结果分析CMOS图像传感器中总剂量引起的暗电流
机译:多晶硅门控MOS器件的电容-电压模型,包括基于总半导体电荷修正的衬底量化效应
机译:预测功率器件场氧化物中最坏情况下的电荷积累
机译:绝缘体上部分耗尽的NMOSFET中总剂量引起的耦合效应分析
机译:电荷捕获非易失性半导体存储器件的设计,表征和建模。
机译:模拟复杂医疗设备中堆积生物膜中的微生物存活率
机译:从界面状态和俘获电荷密度测量结果分析CMOS图像传感器中总剂量感应的暗电流
机译:氮化物氧化物mOs器件中总剂量诱导的电荷积累。