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路香香; 罗宏伟; 姚若河;
中国电子学会;
集成电路; 静电放电; 扩散电阻; TLP测试; 二次击穿; 电阻特性;
机译:使用背面激光干涉法研究类CDM时域中高电流应力下的ESD保护元件
机译:双光束迈克尔逊干涉仪,用于在非常快速的TLP应力下研究ESD保护器件的触发动力学
机译:ESD应力下的GaN /蓝宝石InGaN蓝光LED的研究
机译:准混合模式MOSFET模型,用于在ESD应力和布局变化下模拟和预测衬底电阻
机译:实时三轴电阻率和孔隙压力渗透率测量,用于监测应力下的饱和度和电特性变化。
机译:在高风险的血栓栓塞患者中肝素替代治疗下的胃ESD在技术上是可行的但延迟出血的风险较高:大阪大学ESD研究小组
机译:通过电阻率和热电动力技术研究Ti-Ni-Cu应力下的马氏体变型的重新定位研究
机译:高热流密度和应力梯度下电阻与CmC应力 - 应变和断裂行为的相关性。
机译:纳米电阻复合应变测量装置以及使用相同应变测量方法,能够通过在导电网络中增加电阻的情况下通过使用特性来测量应力值
机译:实际应力下电荷转移阵列特性和老化的研究方法及电路及其对DRAM MOSFET阵列晶体管的实现
机译:实际应力下电荷转移阵列晶体管特性及老化的研究方法及电路及其在DRAM MOSFET阵列晶体管中的应用
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