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路香香; 罗宏伟; 姚若河; 林志成;
华南理工大学物理科学与技术学院;
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室;
华南师范大学物理与电信工程学院;
ESD应力; 扩散电阻; TLP测试; 二次击穿;
机译:全面研究EOS / ESD事件下的MEMS行为:击穿特性,电介质充电和实际固化
机译:应力依赖扩散模型在浅沟槽隔离机械应力下重现金属氧化物半导体场效应晶体管的亚阈值特性
机译:关于在软击穿状态下运行的基于Al_2O_3-和基于HfO_2的存储单元的双极电阻切换特性
机译:准混合模式MOSFET模型,用于在ESD应力和布局变化下模拟和预测衬底电阻
机译:实时三轴电阻率和孔隙压力渗透率测量,用于监测应力下的饱和度和电特性变化。
机译:三轴压缩应力下煤块甲烷扩散特性的实验研究
机译:高热流密度和应力梯度下电阻与CmC应力 - 应变和断裂行为的相关性。
机译:ESD应用特性要素模型,击穿验证方法和仿真方法
机译:纳米电阻复合应变测量装置以及使用相同应变测量方法,能够通过在导电网络中增加电阻的情况下通过使用特性来测量应力值
机译:在不降低击穿电压特性的情况下用于形成浅结的源/漏区的击穿特性改进的晶体管制造方法
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