一种抑制工艺偏差的CMOS过温保护电路

摘要

在开关电源的设计中,过温保护模块是必不可少的。本文设计了一种标准CMOS工艺下低工艺偏差的过温保护电路。通过增加电路的匹配性,使过温电路的翻转电平近似与阈值电压无关.该电路结构简单,适于低压工作,温度的迟滞宽度易于调节。使用0.5μm CMOS工艺模型,HSPICE的仿真结果表明该电路对电源电压和工艺参数的变化具有很强的抑制能力。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号