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中频反应磁控溅射法制备Al2O3:Ce3+发光薄膜工艺条件优化

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中频反应磁控溅射技术近年来得到了广泛地应用.采用该技术制备的Al2O3:Ce3+薄膜具有优良的蓝色发光性能.本文采用四因素四水平正交实验方法,对中频磁控溅射法制备的Al2O3:Ce3+薄膜工艺参数进行优化,得到了制备具有良好发光性能薄膜的优化条件是:掺杂浓度1.1％,溅射总压强0.4 Pa,靶基距70 mm,氧分压比9％.结果表明,中频反应磁控溅射制备的Al2O3:Ce3+具有强烈的宽带光致发光.

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来源
《第八届真空冶金与表面工程学术会议》|2007年|161-166|共6页
会议地点沈阳
作者
廖国进; 辽宁工学院; 巴德纯; 闻立时; 刘斯明; 阎绍峰;
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作者单位

中国真空学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.055;
关键词
磁控溅射; 三氧化二铝; 发光薄膜; 正交试验; 中频反应磁控溅射技术;
入库时间 2022-08-17 10:14:18

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