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胡炜杰; 赵有文; 孙文荣; 段满龙; 董志远; 杨俊;
中国电子学会;
广州市科协;
砷化铟; 单晶生长; 电学性能; 液封直拉; 辉光放电质谱;
机译:稀土金属单晶最佳掺杂的物理技术原理。含杂质浓度较高的掺杂杂质的金属单晶的位错结构特征的Ⅱ型修饰
机译:未掺杂的LEC InAs单晶的残留杂质和电性能
机译:稀土金属单晶最佳掺杂的物理技术原理。含杂质浓度较高的杂质的金属单晶的位错结构特征的II修饰
机译:非掺杂和La掺杂的SrTiO3作为SOFC阳极材料的合成及电学性能
机译:局部模式在杂质掺杂激光晶体中的非阵列过程中的作用
机译:单晶银的杂质掺杂导致电阻率异常下降
机译:杂质带和价带中的空穴传输适度研究 掺杂的Gaas:mn单晶
机译:用挥发性杂质掺杂生长单晶的程序设计。
机译:为了在由n型的zno或znmgo制成的衬底中处理残留的非本征杂质,并对该衬底进行p型掺杂。
机译:从现在开始生产由掺杂掺杂挥发性杂质的硅和半导体晶片组成的单晶的方法和这种单晶。
机译:产品的单晶生长过程。恒定掺杂浓度的单晶硅的制备-通过在坩埚中熔化添加有杂质的材料,在拉伸时保持固体层并从上部熔化
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