立式HVPE反应器生长GaN模拟研究

摘要

利用有限元法对新设计的HVPE系统工艺参数进行了优化,发现衬底与气体入口距离为5厘米时,沉积的均匀性较好。在此基础上,模拟得到了优化的生长参数。模拟的结果还表明重力和浮力对GaN沉积均有影响。