集成CMOS管1/f噪声测试系统

摘要

互补金属氧化物半导体(CMOS)的1/f噪声决定了集成前置放大器的噪声，取得精确的1/f噪声系数是进行低噪声集成前置放大器设计的关键。本文设计了一种噪声测量系统，用于测量CMOS处于不同工作状态时的1/f噪声特性。该测量系统仿真结果为：等效输入电压噪声功率谱密度0．2nV/√Hz，等效输入电流噪声功率谱密度为0．4pA/√Hz，3dB带宽为0．9MHz．