K波段低噪声集成片上CMOS接收前端设计

摘要

基于TSMC 90nm CMOS工艺,设计实现K波段片上集成CMOS接收前端.接收前端由两级差分共源共栅结构低噪声放大器、双平衡吉尔伯特单元结构下变频混频器组成.射频输入、本振输入以及模块间采用片上巴伦进行匹配.测试结果表明,在射频输入频率23.2GHz时,转换增益为27.6dB,噪声系数为3.8dB,端口隔离性能良好,在电源电压为1.2V下,功耗为35mW,芯片面积为1.45×0.60mm^2.