后硒化法制备CIGS薄膜中的元素损失机制

摘要

本文通过在线电阻监测方法,结合XRD、XRF测试结果,研究固态Se源后硒化法制备CIGS薄膜中的元素损失机制,表明InGa共存时Mo/Ga/In结构中的Se扩散速率高于Mo/In/Ga结构；元素损失率与沉积顺序有关；同时证实了提高硒化升温速率可有效降低元素损失的比例,为降低后硒化法制备CIGS薄膜的元素损失提供了理论依据。