窄带隙微晶硅锗薄膜及其太阳电池应用研究

摘要

本文采用甚高频PECVD法,对比了SiH4+GeH4和SiH4+GeF4两种气体组合制备微晶硅锗薄膜的效果。Raman测试结果显示GeH4的增加导致薄膜晶化率降低,而GeF4可以促进材料的晶化。通过研究材料中的锗含量变化趋势发现,采用SiH4+GeF4气体组合制备微晶硅锗薄膜可以在保证晶化率的前提下达到精确有效调节薄膜锗含量的效果。用SiH4+GeF4为反应气体制备的微晶硅锗薄膜在锗含量大于40%时,光敏性达到近3个数量级。