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曹丽冉; 张媛;
国家知识产权局专利局专利审查天津中心,天津 300304;
微晶锗; 窄带隙; 太阳电池;
机译:CIGS太阳电池共溅射技术制备宽带隙MgZnO:Ga TCO层的制备与表征
机译:二甲基锗烷热线化学气相沉积制备微晶锗碳薄膜
机译:苯并三氮唑基窄带隙聚合物受体用于高效全聚合物太阳电池
机译:傅立叶变换分光光度法从串联薄膜硅太阳电池非晶和微晶部分分离信号。
机译:窄带隙半导体上原子层沉积的高k电介质的界面表征。
机译:具有自窄带隙和优化的光催化性能的Sb4O5Cl2中空微球微晶的无pH调节模板组装
机译:通过Mössbauer光谱学和其他方法通过电化学,蒸发,离子混合和快速冷却制备的微晶,非晶和结晶合金涂层以及其他制备的同类物的对比研究=电化学制备,蒸发,离子束混合,研磨的对比研究Mössbauer光谱学和其他方法测定结晶合金和相关化合物
机译:溅射沉积非晶/微晶sc(x)Ga(1-x)N的带隙工程。
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机译:双整数层和薄膜太阳电池的cigs吸收层和薄膜太阳电池的cigs制备方法
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