脉冲功率开关RSD通态压降的研究

摘要

RSD（Reversely Switched Dynistor）是一种晶闸管和晶体管相间排列的多元胞结构高速大功率半导体开关器件，RSD采用控制等离子层触发的开通模式。文章从理论上推导了RSD通态压降的表达式，并给出了该压降与器件结构参数的表达式，根据其解析式，给出了降低器件损耗的方法。