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梁琳; 余岳辉; 颜家圣; 周郁明;
华中科技大学电子科学与技术系;
襄樊台基半导体有限公司;
通态电流上升率; 反向开关晶体管; 短脉冲; 开关;
机译:具有高 $ dI / dt $ tex-math> inline-formula>和的低开关损耗FD-IGBT的仿真研究公式> $ dV / dt $ tex-math> inline-formula>可控制性
机译:新型具有肖特基势垒的绝缘栅触发晶闸管,可改善重复脉冲寿命并具有高 d / dt itali>特性
机译:短间隙,高di / dt放电的时空特性
机译:4.5kV绝缘门触发晶闸管(IGTT),具有高 $ DI / DT $ TEX>脉冲功率应用的特性
机译:混合高功率开关单元的瞬态和CDV / DT诱导开启的行为建模
机译:使用高Ge含量的Ge0.5Se0.5固体电解质增强的纳米电阻开关记忆特性和开关机制
机译:高电压,高电流,高DI / DT固态开关
机译:高di / DT和高重复率操作下的Thyratron特性
机译:高di / dt超导开关
机译:具有高di / dt能力的光控开关系统
机译:高DI / DT,快速接通达林顿控制的半导体开关
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