红外发光显微镜EMMI及其在集成电路失效分析中的应用

摘要

随着超大规模集成电路(VLSI)的发展，半导体芯片中元器件的特征尺寸越来越小，已经进入了深亚微米时代。近几年新发展起来的红外发光显微技术(Emission Microscopy，EMMI)利用了IC器件中大多数缺陷都呈现微弱的红外发光现象，能够迅速准确地定位失效点，使得它成为现今对IC进行失效缺陷定位的有力工具。本文将介绍EMMI技术所利用到的半导体发光机理、EMMI仪器的基本结构、主要部件及具体技术特点，并通过对两个IC失效样品的实际分析案例，介绍EMMI及其补充技术——激光束诱导电阻率变化测试(Optical Beam Induced Resistance Change，OBIRCH)在IC失效分析中的具体应用。