各向异性湿法腐蚀硅尖的削角均匀性研究

摘要

氢氧化钾(KOH)溶液广泛应用于原了力显微镜探针、隧道式传感器等微纳米器件的关键要素—硅尖的腐蚀,然而八个快腐蚀面的形成和前进速率差异较大,使得不同针尖的形状和直径差异较大。本文通过实验发现在四甲基氢氧化铵(TMAH)基溶液中腐蚀的硅尖的基座和八边形顶面与KOH基溶液中腐蚀的硅尖相比更接近圆形；TMAH基溶液中腐蚀的硅尖的顶面内切圆直径偏差仅为±0.2μm,而氢氧化钾基溶液中大约为±0.5μm。说明TMAH基溶液中腐蚀硅尖时八个快腐蚀面的削角速率几乎相等,因此将其用于制作隧道式传感器和AFM探针时可望具有更好的场发射特性和扫描特性。