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一种晶体硅各向异性湿法腐蚀方法

摘要

本发明公开了一种晶体硅各向异性湿法腐蚀方法,属于新材料技术领域。本发明将金属催化硅腐蚀技术与金属腐蚀技术相结合,提出了一种新型的晶体硅各向异性湿法腐蚀方法,可用于晶体硅表面大面积微纳米尺度金字塔阵列绒面结构制备。该技术简单易行,不需要添加双氧水等强氧化剂,成本低廉,可工业化生产,所制备的大面积微纳米尺度金字塔阵列绒面光吸收性能优异,因此在太阳能电池等领域具有广泛的应用前景。

著录项

  • 公开/公告号CN108538720A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-09-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京师范大学;

    申请/专利号CN201710127031.7

  • 发明设计人 彭奎庆;付昊鑫;王江;

    申请日2017-03-06

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 100875 北京市海淀区新街口外大街19号

  • 入库时间 2023-06-19 06:29:52

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-01-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/306 申请日:20170306

    实质审查的生效

  • 2018-09-14

    公开

    公开

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