添加剂MPS作用下铜电沉积的研究

摘要

超大规模集成电路(VLSI)互连工艺中铜的电沉积在国内外都已经有大量的研究,研究表明为了实现铜在芯片亚微米级刻槽中的超等角填充,添加剂是很关键的.目前采用的有机添加剂主要包括促进剂,如聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS)或者3-巯基-1-丙烷磺酸钠(MPS),和抑制剂,如聚乙二醇(PEG);有的还包含少量的整平剂.促进剂在铜的电沉积中有着很重要的作用,国外对于促进剂MPS对铜电沉积的影响作用已经有一定的研究.在酸性镀铜液中,MPS单独作用时对电沉积起抑制作用,但是对于MPS 对于铜的电结晶的成核机理的研究很少.本文主要采用循环伏安(CV)、线性电位扫描(LSV)和计时安培(CA)电化学方法和电镜扫描(SEM)法对促进剂MPS作用下铜的电化学行为进行了研究.