SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤及退火效应研究

摘要

本文研究了Altera SRAM型FPGA器件60Coγ辐照后的总剂量辐射损伤及退火效应.通过不同模块实现相同的分频功能，比较了不同模块输出波形随总剂量、退火时间的变化关系；通过实现不同源程序所需的模块不同，并比较了不同源程序功耗电流随总剂量、退火时间的变化关系，详细探讨了不同模块随总剂量、退火时间的变化关系。同时，分析了功耗电流在不同退火温度下恢复的原因，并讨论了不同退火温度下功耗电流恢复幅度的差异.最后，测量了输出端口的高低电平，分析高低电平随总剂量、退火时间的变化关系.