ONO反熔丝FPGA抗龟离辐照性能研究

摘要

描述了在受到电离辐照时，ONO薄膜内部电子一空穴的运动规律。采用蒙特卡罗方法，计算了不同能量光子辐照下，ONO反熔丝介质内部的能量沉积和电荷累积，并推算了由此产生的界面电场强度以及阈值电压的漂移。采用反熔丝FPGA芯片A1460A设计延时电路，进行了钴源电离辐照试验。模拟计算和辐照试验的结果都说明了0NO反熔丝结构的FPGA具有较好的抗电离总剂量辐照的性能。