CCD器件总剂量辐射损伤的剂量率效应

摘要

基于线阵商用CCD器件，开展了60Coγ射线不同剂量率的辐照实验和室温退火研究。分别考察了CCD的功耗电流、复位电压，光响应灵敏度和电荷转移效率等参数的变化。结果表明所测量的CCD参数随γ总剂量增加而逐渐衰退，高剂量率辐照下的器件损伤效应明显高于低剂量率的器件。室温退火发现高剂量率辐照后CCD的不同参数恢复到与低剂量率辐照接近的水平，表明辐射感生氧化物电荷是导致不同剂量率效应差异的主要原因。