深亚微米集成电路ESD器件设计研究

摘要

本文结合SMIC-0.18um Silicide CMOS工艺集成电路ESD保护的需要，针对全芯片电源ESD保护和一般I/O ESD保护设计特点，展开对MOS器件及二极管器件用于ESD防护的设计研究。分别考察了NMOS与PMOS的静电响应差异，研究了NMOS设计参数和版图结构对ESD性能的影响，讨论了不同尺寸和结构的二极管的ESD防护性能，以及栅极驱动NMOS电路的防护性能。