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李泽宏; 易黎; 周春华; 罗萍; 计建新; 张波;
中国电器工业协会;
垂直扩散金属氧化物半导体; 多晶硅二极管; 保护结构; 版图设计;
机译:FD-SOI技术中用于ESD保护的薄膜硅BIMOS器件的拓扑和设计研究
机译:具有有效VDD至VSS ESD钳位电路的全芯片ESD保护设计,用于亚微米CMOS VLSI
机译:纳米CMOS技术中具有嵌入式SCR结构作为电源轨ESD钳位设备的I / O单元的ESD保护设计
机译:通过仅使用1 byVDD低压器件用于具有3 DevicesVDD输入容差的混合电压I / O缓冲器的ESD保护设计
机译:新一代静电放电(ESD)保护结构的新型器件的设计和特性
机译:高k和更稳定的稀土氧化物作为先进CMOS器件的栅极电介质的设计
机译:用于高压ESD保护的GDNMOS和GDBIMOS器件在薄膜高级FD-SOI技术中
机译:第十代微米CmOs器件 - 虚拟工厂方法展示新结构设计
机译:利用平面图设计保护集成电路免受ESD事件的静电放电(ESD)保护结构以及相关的集成电路和ESD保护方法
机译:静电放电(ESD)保护结构,利用地板计划设计来保护集成电路不受ESD事件影响,以及相关的集成电路和ESD保护方法
机译:用于ESD保护结构的LDNMOS器件
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