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潘才渊; 杨丽媛; 杨凌; 马晓华; 张进城; 郝跃;
中国电子学会;
MOS-HEMTs器件; C-F; 膝点电阻;
机译:含HfO2和Al2O3栅绝缘体的Si基AlGaN / GaN嵌入式MIS-HEMT的特性比较研究
机译:凹陷深度对使用HfO_2栅绝缘体的Si衬底上AlGaN / GaN功率MIS-HEMT性能的影响以及不同凹陷深度的阈值电压模型
机译:凹槽蚀刻对具有Al2O3 / AlN栅堆叠的GaN基MIS-HEMT的温度相关特性的影响
机译:栅槽式Al2O3 / AlGaN / GaN MOS-HEMT中Al2O3层和刻蚀深度对2DEG片密度的影响机理。
机译:氮化铝/氮化镓HEMT的研究:MBE的生长,传输特性和器件问题
机译:面向增强模式特性的具有双AlGaN势垒设计的嵌入式栅AlGaN / GaN MIS-HEMT研究
机译:通过动态和电致发光测量表征具有透明栅电极的AlGaN / GaN HEMT器件
机译:结合GaN衬底热边界电阻的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEmT)器件的混合多栅模型。
机译:MIS栅结构型HEMT器件的制造方法和MIS栅结构型HEMT器件
机译:研究床品不同深度上的机械特性的方法
机译:沟槽栅型mos半导体器件的沟槽平均深度和开关特性的评估方法和半导体芯片筛选方法
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