MOCVD生长InGaN/GaN量子阱特性研究

摘要

本文研究了采用MOCVD在c面蓝宝石上保持垒层温度固定阱层生长温度不同时生长InGaN/GaN多量子阱结构。通过高分辨XRD对样品进行w-2theta扫描并对扫描结果进行拟合,得到量了阱结构每一层厚度和In组分:采用AFM,CL,SEM等观察样品表面形貌,并测得样品的PL谱;研究发现,随着样品阱层生长温度的降低,量子阱中In含量增加:同时样品的发光波长红移,发光强度降低。