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张洁; 王笃祥; 杜伟华; 曾双龙;
中国光学光电子行业协会;
GaN; 外廷; MOCVD; 有源区; 极化效应;
机译:4英寸生长的GaN基LED中GaN外延层质量和应变的相关性。 Si(111)基板
机译:GaN基蓝色LED的开发以及GaN及其相关材料的金属有机气相外延
机译:接近无应变的GaN兼容缓冲层上GaN外延层中的超低穿线位错密度及其在异质外延LED中的应用
机译:通过分子束外延生长的GaN基LED
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:纳米外延横向过生长层上制造的GaN基LED中的热电子诱导降解
机译:在简单的牺牲衬底上外延生长GaN基LED。总结报告
机译:用于制造GaN基外延层的单晶衬底,制造该外延层的方法,包括该GaN基外延层的LED和LD
机译:外延生长用基板,GaN基半导体膜的制造方法,GaN基半导体膜,GaN基半导体发光元件和GaN基半导体发光元件的制造方法
机译:外延生长衬底,GaN基半导体层的制造方法,GaN基半导体层,发光器件的GaN基半导体制造方法和GaN基半导体发光元件
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