机译:纳米外延横向过长生长层上制造的GaN基LED中的热电子诱导降解
机译:GaN / InGaN多量子阱在纳米外延横向过生长层上的生长和表征
机译:通过纳米级外延横向过度生长提高蓝宝石上基于InGaN的外延层的晶体质量
机译:外延横向生长的GaN层上基于GaN的激光二极管中的位错
机译:非等温设备中热电子和ESD引起的退化的统计模型。
机译:通过自对准双倍外延横向过生长制造的电驱动高效的基于GaN的三维GaN发光二极管
机译:在纳米级外延横向过度生长层上制造的GaN基LED中的热电子诱导的降解