Logic gates; MOSFET; Voltage measurement; Layout; Current measurement; Radiation effects;
机译:总电离剂量辐射对先进的体CMOS技术器件中NMOS寄生晶体管的影响
机译:JICG CMOS晶体管,用于在130nm散装SiGe Bicmos技术中减少总电离剂量和单一事件效果
机译:在32 nm CMOS SOI技术中,总电离剂量和温度对K带正交LC-Tank VCO的综合影响
机译:在110nm技术中对CMOS器件的总电离剂量效应
机译:先进CMOS技术中的总电离剂量效应。
机译:γ射线总电离剂量(TID)对Ag / AlO转换行为的影响X/ Pt RRAM设备
机译:在高达1级的28 nm Hi-K金属栅CMOS技术上的总电离剂量效应