机译:总电离剂量对Pt / HfO_2 / Al_2O_3 / TiN结构RRAM器件电阻稳定性的影响
机译:通过脉冲CV和现场测量观察到,基于O氧化物的MOS器件对低剂量率伽马射线辐射的总电离剂量响应
机译:$ 1 {T} $ -TaS2电荷密度波设备中阈值切换的总电离剂量效应
机译:γ射线辐射在几种商用光学收发器上的总电离剂量效应
机译:SiGe PMOS器件上的总电离剂量辐射效应和负偏置温度不稳定性
机译:使用软X射线光谱显微镜在开关RRAM器件中空间分辨的TiOx相
机译:γ射线辐射的总电离剂量(TID)对Ag / AlO / Pt RRAM器件的开关行为的影响
机译:不同总电离剂量(TID)对压电mEms应用的铁电薄膜叠层和器件的影响。