首页> 中文会议>2016年上海市研究生学术论坛——电子科学与技术 >STI隔离的130nm SOI CMOS器件不同沟道长度的总剂量效应

STI隔离的130nm SOI CMOS器件不同沟道长度的总剂量效应

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

在器件结构、辐照偏置相同的情况下,研究不同沟道长度的总剂量辐射响应.氧化层中辐射诱生陷阱正电荷是导致器件特性退化的关键.寄生侧壁晶体管会因浅沟槽隔离氧化层中的陷阱电荷沟道反型,产生大的关态漏电流.由于SOI器件绝缘埋层的存在,同样会存在陷阱正电荷,对器件特性产生影响.研究表明,沟道越短,泄漏电流越大,辐照会增强短沟道效应.

著录项

来源
《2016年上海市研究生学术论坛——电子科学与技术》|2016年|209-213|共5页
会议地点上海
作者
张梦映; 胡志远; 宁冰旭; 宋雷; 戴丽华; 刘小年; 张正选;
展开▼
作者单位

上海市学位委员会;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类理论;
关键词
CMOS器件; 总剂量效应; 短沟道效应; 绝缘埋层; 浅沟槽隔离; 沟道长度;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 短沟道SOI MOSFET总剂量辐照效应模型 [J] . 万新恒 ,甘学温 ,张兴 . 半导体学报：英文版 . 2001,第9期
2. 总剂量辐射对0.5μm部分耗尽SOI CMOS器件的影响 [J] . 谢儒彬 ,吴建伟 ,洪根深 . 电子与封装 . 2015,第004期
3. 抗总剂量辐射0·8μmSOI CMOS器件与专用集成电路(英文) [J] . 肖志强 ,洪根深 ,张波 . 半导体学报：英文版 . 2006,第10期
4. 采用LOCOS隔离的部分耗尽SOI器件的窄沟道效应 [J] . 宋文斌 ,许高博 ,郭天雷 . 电子器件 . 2007,第005期
5. 采用LOCOS隔离的部分耗尽SOI器件的窄沟道效应 [J] . 宋文斌 ,许高博 ,郭天雷 . 多媒体世界 . 2007,第011期
6. 深亚微米CMOS器件总剂量辐照效应模型研究进展 [C] . Teng Zheqian ,滕浙乾 ,Liang Bin . 第十三届计算机工程与工艺会议（NCCET09’） . 2009
7. SOI CMOS器件的总剂量辐射效应模拟及其加固设计 [A] . 王文龙 . 2013

STI隔离的130nm SOI CMOS器件不同沟道长度的总剂量效应

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅