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彭宏论; 王永强; 姚育娟; 张正选;
西北核技术研究所;
Burn-in效应; CMOS器件; 电离辐射效应; 集成电路;
机译:CMOS器件中电离辐射效应的空间模型
机译:CMOS器件上的电磁干扰和电离辐射效应
机译:固态材料和CMOS器件中的电离电离辐射效应
机译:纳米栅极长度部分耗尽硅-NON-insulator CMOS器件和电路中浮体效应的分析,建模和控制
机译:随机纳米氮化钛晶粒引起的动态功率延迟的特性波动以及全能门纳米线CMOS器件和电路的纵横比效应
机译:CMOS器件中电离辐射效应的调度模型
机译:高功率微波(Hpm)和CmOs器件的电离辐射效应
机译:抗电离辐射全吸收剂量效应的CMOS / SOI晶体管结构的选择方法
机译:电容耦合结型场效应晶体管(FIN场效应晶体管),其制造方法以及采用该器件的CMOS(互补金属氧化物半导体)晶体管
机译:垂直沟道场效应晶体管器件,使用该器件的三值CMOS,及其制造方法
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