...
机译:总电离剂量辐射对先进的体CMOS技术器件中NMOS寄生晶体管的影响
total ionizing dose (TID); bulk CMOS; shallow trench isolation (STI); oxide trapped charge; interface traps;
机译:总电离剂量辐射对先进的体CMOS技术器件中NMOS寄生晶体管的影响
机译:在商用CMOS技术中研究总电离剂量辐射对封闭式栅极晶体管的影响
机译:在商用CMOS技术中研究总电离剂量辐射对封闭式栅极晶体管的影响
机译:总电离剂量辐照对CMOS技术的影响以及使用设计技术减轻总剂量效应
机译:先进CMOS技术中的总电离剂量效应。
机译:γ射线总电离剂量(TID)对Ag / AlO转换行为的影响X/ Pt RRAM设备
机译:在0.18μmCmOs图像传感器工艺中,总电离剂量对mOs晶体管的I-V和噪声特性的影响