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MODULATED SUPER JUNCTION POWER MOSFET DEVICES

机译:调制超结功率MOSFET器件

摘要

A semiconductor device—e.g., a super junction power MOSFET—includes a number of columns of one type of dopant formed in a region of another type of dopant. Generally speaking, the columns are modulated in some manner. For example, the widths (e.g., diameters) of some columns are greater than the widths of other columns.
机译:一种半导体器件,例如超级结功率MOSFET,包括在另一种类型的掺杂剂的区域中形成的一种类型的掺杂剂的多个列。一般来说,这些列是以某种方式调制的。例如,某些柱的宽度(例如直径)大于其他柱的宽度。

著录项

  • 公开/公告号EP3158590B1

    专利类型

  • 公开/公告日2022-04-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号EP20150812603

  • 发明设计人 PATTANAYAK DEVA;TORNBLAD OLOF;

    申请日2015-06-05

  • 分类号H01L29/06;H01L29/78;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-25 00:40:48

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