一种Super Junction VDMOS器件

摘要

一种Super Junction VDMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在具有平面肖特基接触结构的Super Junction VDMOS器件基础上，引入沟槽式肖特基接触结构：即将多晶硅栅电极在N型柱区上方分成两段；同时将金属源电极在两段多晶硅栅电极之间的区域向下延伸进N型柱区，并在与N型柱区相接触的表面形成沟槽式肖特基接触结构。另外，金属源电极两端也可做成沟槽式欧姆接触结构。本发明提供的Super Junction VDMOS器件，具有较好的反向恢复特性；在同等反向恢复特性要求下，可降低器件制备时对工艺线宽的要求，使器件尺寸更小；而沟槽式欧姆接触结构，可降低器件接触电阻，并改善器件散热性能。两个沟槽式结构可采用同一张掩模板，使得器件的制造成本不会明显增加。