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OXIDE FIELD TRENCH (OFT) DIODE CONTROL DEVICE

机译:氧化物场沟槽(OFT)二极管控制装置

摘要

A device includes a controllable current source connected between a first node and a first terminal coupled to a cathode of a controllable diode. A capacitor is connected between the first node and a second terminal coupled to an anode of the controllable diode. A first switch is connected between the first node and a third terminal coupled to a gate of the controllable diode. A second switch is connected between the second and third terminals. A first diode is connected between the third terminal and the second terminal, an anode of the first diode being preferably coupled to the third terminal.
机译:设备包括连接在第一节点和耦合到可控二极管的阴极的第一节点和第一端子之间的可控电流源。 电容器连接在第一节点和耦合到可控二极管的阳极的第二端子之间。 第一开关连接在耦合到可控二极管的栅极的第一节点和第三端子之间。 第二开关连接在第二和第三终端之间。 第一二极管连接在第三端子和第二端子之间,第一二极管的阳极优选地耦合到第三终端。

著录项

  • 公开/公告号US2022069110A1

    专利类型

  • 公开/公告日2022-03-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 STMICROELECTRONICS (TOURS) SAS;

    申请/专利号US202117412556

  • 发明设计人 FREDERIC GAUTIER;

    申请日2021-08-26

  • 分类号H01L29/739;H01L27/07;H01L29/872;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-24 23:42:35

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