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Active pattern structure and semiconductor device including the same

机译:有源图案结构和半导体器件,包括相同

摘要

An active pattern structure includes a lower active pattern protruding from an upper surface of a substrate in a vertical direction substantially perpendicular to an upper surface of the substrate, a buffer structure on the lower active pattern, at least a portion of which may include aluminum silicon oxide, and an upper active pattern on the buffer structure.
机译:有源图案结构包括从基本垂直于基板的上表面的垂直方向的垂直方向从基板的上表面突出的较低的有源图案,在下部有源图案上的缓冲结构,其至少一部分可包括硅铝 氧化物和缓冲结构上的上活性图案。

著录项

  • 公开/公告号US11233151B2

    专利类型

  • 公开/公告日2022-01-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD.;

    申请/专利号US202016887900

  • 发明设计人 SANGMOON LEE;KYUNGIN CHOI;SEUNGHUN LEE;

    申请日2020-05-29

  • 分类号H01L31/113;H01L31/119;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/66;H01L29/417;

  • 国家 US

  • 入库时间 2024-06-14 22:42:36

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