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Qubit apparatus and a qubit system

机译:量子位设备和QUBBit系统

摘要

A transmon qubit comprising a plate capacitor comprising a first plate (202) and a second plate (203) wherein the first plate is disposed opposite to at least a part of the second plate, wherein the first plate and the second plate are connected via a nonlinear inductance element (304), and a capacitance (205) formed between the first plate and the second plate, wherein the first plate and the second plate are configured to form a vacuum gap capacitor.
机译:包括包括第一板(202)和第二板(203)的板电容器,其中第一板设置到第二板的至少一部分的板电容器,其中第一板和第二板通过A连接 非线性电感元件(304)和形成在第一板和第二板之间的电容(205),其中第一板和第二板被配置为形成真空间隙电容器。

著录项

  • 公开/公告号US11170846B2

    专利类型

  • 公开/公告日2021-11-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TECHNISCHE UNIVERSITEIT DELFT;

    申请/专利号US201816480713

  • 发明设计人 SAL JUA BOSMAN;GARY ALEXANDER STEELE;

    申请日2018-01-26

  • 分类号G11C11/44;H01L39/02;G06N10;H01L39/22;H01P7/08;

  • 国家 US

  • 入库时间 2024-06-14 22:20:44

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