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METHODS OF PEROVSKITE OPTOELECTRONIC DEVICE AND PEROVSKITE OPTOELECTRONIC DEVICE PREPARED THEREBY

机译:由此制备Perovskite光电器件和Perovskite光电器件的方法

摘要

The present invention discloses a perovskite optoelectronic device and porous polymer particles prepared therefrom. The present invention comprises the steps of forming an electron transport layer on the first electrode; forming a photoactive layer including a perovskite compound on the electron transport layer by spray coating (orthogonal spray coating); forming a hole transport layer on the photoactive layer containing the perovskite compound; and forming a second electrode on the hole transport layer, wherein the photoactive layer including the perovskite compound has a composition gradient in the depth direction from the hole transport layer to the electron transport layer. characterized in that
机译:本发明公开了一种钙钛矿光电子器件和由其制备的多孔聚合物颗粒。 本发明包括在第一电极上形成电子传输层的步骤; 通过喷涂(正交喷涂)形成在电子传输层上的钙钛矿化合物的光活性层; 在含有钙钛矿化合物的光活性层上形成空穴传输层; 并在空穴传输层上形成第二电极,其中包括钙钛矿化合物的光活性层在从空穴传输层到电子传输层的深度方向上具有组成梯度。 其特征在于

著录项

  • 公开/公告号KR102300107B1

    专利类型

  • 公开/公告日2021-09-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 고려대학교 산학협력단;

    申请/专利号KR20200100792

  • 发明设计人 임상혁;허진혁;

    申请日2020-08-11

  • 分类号H01L51/42;H01L51;H01L51/44;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-24 20:58:11

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