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High Efficiency Solar Absorber Based on Tungsten by Atomic Layer Deposition and Manufacturing Method Thereof

机译:基于原子层沉积及其制造方法的高效太阳能吸收器

摘要

The present embodiments provide a solar absorber capable of depositing tungsten on a substrate having a nanopillar structure using a plasma enhanced atomic layer deposition method, and improving the solar absorption rate by adjusting the aspect ratio of the nanopillar structure, and a method for manufacturing the same.
机译:本实施例提供了一种能够在使用等离子体增强的原子层沉积方法的具有纳米池结构的基板上沉积钨的太阳能吸收器,并通过调节纳米池结构的纵横比,提高太阳能吸收速率,以及制造方法 。

著录项

  • 公开/公告号KR20210109780A

    专利类型

  • 公开/公告日2021-09-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 연세대학교 산학협력단;

    申请/专利号KR20200024800

  • 发明设计人 김형준;이유진;

    申请日2020-02-28

  • 分类号H01L31/18;H01L31/0352;H01L31/0392;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-24 20:53:23

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