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PERFORMING READ OPERATION PRIOR TO TWO-PASS PROGRAMMING OF STORAGE SYSTEM

机译:在存储系统的双通编程之前执行读取操作

摘要

Data from a first memory cell of a plurality of memory cells is read, and it is determined whether the data stored at the first memory cell comprises an error. Upon determining that the data stored at the first memory cell comprises the error, it is determined whether an error correction operation on the data stored at the first memory cell is successful. Responsive to determining that the error correction operation on the data stored at the first memory cell is unsuccessful, a second memory cell of the plurality of memory cells is identified and a two-pass programming operation is performed on the second memory cell instead of the first memory cell.
机译:读取来自多个存储器单元的第一存储器单元的数据,并且确定存储在第一存储器单元处的数据是否包括错误。 在确定存储在第一存储器单元的数据包括误差时,确定是否在第一存储器单元处存储的数据上的纠错操作是否成功。 响应于确定存储在第一存储器单元处的数据上的误差校正操作是不成功的,识别多个存储器单元的第二存储器单元,并且在第二存储单元而不是第一个存储单元上执行双通编程操作 记忆单元。

著录项

  • 公开/公告号US2021249093A1

    专利类型

  • 公开/公告日2021-08-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MICRON TECHNOLOGY INC.;

    申请/专利号US202117241015

  • 发明设计人 YANG ZHANG;

    申请日2021-04-26

  • 分类号G11C16/34;G11C16/08;G11C16/10;G11C16/26;G11C29/42;

  • 国家 US

  • 入库时间 2024-06-14 21:56:36

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