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Power Device with Low Gate Charge and Low Figure of Merit

机译:具有低栅极电荷和低值的功率器件

摘要

A device includes a cell, wherein each cell includes a body having a main top surface and a main bottom surface, a gate on the main surface on the device having a first length, a gate isolation layer over the gate having a second length at least twice as long as the first length, a source contact in the device body adjacent to the gate, a source metal layer over the gate isolation layer, and a drain on the main bottom surface of the cell.
机译:装置包括电池,其中每个电池包括具有主顶表面和主底表面的主体,主表面上的主表面上的栅极,其具有第一长度,栅极上的栅极隔离层至少具有第二长度的栅极隔离层两倍长的第一长度,在栅极隔离层上邻近栅极的源极金属层,以及电池主底表面上的源极金属层的源极接触。

著录项

  • 公开/公告号US2021193826A1

    专利类型

  • 公开/公告日2021-06-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 INFINEON TECHNOLOGIES AMERICAS CORP.;

    申请/专利号US202117192585

  • 发明设计人 YANG GAO;

    申请日2021-03-04

  • 分类号H01L29/78;H01L29/08;H01L29/417;H01L29/66;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-24 19:31:03

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