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VARIATION OF METAL LAYER STACK UNDER UNDER BUMP METALLIZATION (UBM)

机译:碰撞金属化下金属层堆叠的变化(UBM)

摘要

In certain aspects, a chip includes a pad, and a first passivation layer, wherein a first portion of the first passivation layer extends over a first portion of the pad. The chip also includes a first metal layer between the first portion of the pad and the first portion of the first passivation layer. The chip further includes an under bump metallization (UBM) electrically coupled to a second portion of the pad.
机译:在某些方面,芯片包括焊盘和第一钝化层,其中第一钝化层的第一部分在垫的第一部分上延伸。芯片还包括在焊盘的第一部分和第一钝化层的第一部分之间的第一金属层。芯片还包括凸块金属化(UBM),电耦合到垫的第二部分。

著录项

  • 公开/公告号US2021143790A1

    专利类型

  • 公开/公告日2021-05-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 RF360 EUROPE GMBH;

    申请/专利号US202016854769

  • 申请日2020-04-21

  • 分类号H03H9/05;H01L23;H01L41/047;H03H9/64;H03H3/08;H01L41/29;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-24 18:40:04

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