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A method for the production of selenium given the same direction with a multilayer semiconductor with different content of halogen and electropositive additives in the individual layers

机译：一种使用相同方向制造硒的方法，该方法在各层中的卤素含量和电正性添加剂含量不同，这是一种多层半导体

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公开/公告号DE1060053B

专利类型
公开/公告日1959-06-25

原文格式PDF
申请/专利权人 SIEMENS AG;
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申请/专利号DE1953S032123
发明设计人 NITSCHE DIPL-ING ERICH;
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申请日1953-02-10
分类号H01L21/10;H01L21/12;
国家 DE
入库时间 2022-08-23 19:59:11

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