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A method for the electrolytic etching of a semiconductor component with a substantially monocrystalline semiconductor body and a conductor to the surface of the pn - transition

机译：用基本上单晶的半导体本体和导体连接到pn-过渡表面的半导体元件的电解蚀刻方法。

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公开/公告号DE1160547B

专利类型
公开/公告日1964-01-02

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申请/专利权人 SIEMENS AG;
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申请/专利号DE1956S049100
发明设计人 SCHINK DR PHIL NAT NORBERT;
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申请日1956-06-16
分类号C25D11/32;C25F3/12;C25F3/30;C25F7/00;H01L21/00;H01L21/288;H01L21/3063;H01L23/29;
国家 DE
入库时间 2022-08-23 16:36:04

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