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有机半导体元件的制造方法、有机半导体元件、有机单晶体薄膜的成长方法、有机单晶体薄膜、电子设备及有机单晶体薄膜组

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提供了一种用于使诸如有机半导体单晶体薄膜的有机单晶体薄膜成长的方法，所述方法允许控制有机单晶体薄膜的位置、尺寸、晶体方位等。包括有机化合物的有机半导体单晶体薄膜通过以下方式成长：将通过在溶剂中溶解有机化合物所制备的不饱和的有机溶液供应给基板(11)的成长控制区域(P

著录项

公开/公告号CN103907178A

专利类型发明专利
公开/公告日2014-07-02

原文格式PDF
申请/专利权人索尼公司;
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申请/专利号CN201280052849.2
发明设计人后藤修;保原大介;村上洋介;
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申请日2012-10-25
分类号H01L21/368;H01L21/336;H01L29/786;H01L51/05;H01L51/40;
代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司;
代理人余刚
地址日本东京
入库时间 2023-12-17 00:40:32

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-06-17

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/368 申请公布日:20140702 申请日:20121025

发明专利申请公布后的视为撤回
2014-07-02

公开

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