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机译:一种生产半导体的方法-具有至少一种合金生成的pn的结构-过渡
公开/公告号DE1180852B
专利类型
公开/公告日1964-11-05
原文格式PDF
申请/专利权人 SIEMENS AG;
申请/专利号DE1961S076191
发明设计人 WILD OTTO;OTTMANN DIPL-GEOPHYS ALFRED;DORENDORF DIPL-PHYS DR HEINZ;
申请日1961-10-09
分类号H01L21/00;H01L21/24;
国家 DE
入库时间 2022-08-23 16:29:34
机译: 具有PN过渡的半导体装置和用于制造半导体装置的方法
机译: 具有pn过渡的半导体装置以及用于制造半导体装置的方法
机译: 具有PN过渡的半导体装置及其制造方法