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机译：半导体元件，具有基本上为硅的halbleiterkörper和四个交替的leitfähigkeitstyps区域
公开/公告号CH396229A
专利类型
公开/公告日1965-07-31
原文格式PDF
申请/专利权人 SIEMENS-SCHUCKERTWERKE AKTIENGESELLSCHAFT;
申请/专利号CH19630001479
发明设计人 DR. PATALONGHUBERTDIPL.-PHYS.;
申请日1963-02-06
分类号
国家 CH
入库时间 2022-08-23 15:55:39
机译： 半导体元件，具有基本上为硅的halbleiterkörper和四个交替的leitfähigkeitstyps区域
机译： 从三个或三个以上对立的leitfähigkeitstyps区域的halbleiterkörper零件
机译： 具有单晶半导体主体和四层交替导电类型的功率整流器
