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process for the manufacture of semiconductor devices with at least one vordotierten zone

机译：具有至少一个伏尔帖滕区的半导体器件的制造方法

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机译：

著录项

  • 公开/公告号DE000001514587A

    专利类型

  • 公开/公告日1969-05-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SIEMENS AG;

    申请/专利号DE1514587A

  • 发明设计人 WOLFGANG WEISKE DR;

    申请日1965-09-28

  • 分类号

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-23 12:11:47

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